磁気抵抗素子および磁気抵抗効果型記憶素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-066663
公開番号（公開出願番号）：特開2002-204006
出願日： 2001年03月09日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】印加バイアスを制御することにより、選択性および出力信号を改善した磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型記憶素子を提供する。【解決手段】2つの抵抗素子70,71を直列に連ねて構成し、少なくとも一方に磁気抵抗素子を用いる。両方に磁気抵抗素子を用いる場合、互いに独立に磁気抵抗を制御可能とし、第1の磁気抵抗素子の非磁性体が電気絶縁体、第2の磁気抵抗素子は非磁性体が導電体とすることで、第2の磁気抵抗素子をバイアス制御素子として動作させ、第1磁気抵抗素子の特性制御を行い、記憶素子にかかる電圧を制御する。また、もう一方をバリスター型素子として構成した場合には、非選択の記憶素子からのバイアスを抑制し、記憶素子の選択性を向上させる。

請求項（抜粋）：

第1の抵抗素子と、第2の抵抗素子とが直列に接続され、前記第1および前記第2の抵抗素子のうちいずれか一方が磁気抵抗素子であることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/30 , H01L 27/105 , H01L 29/66

FI (7件)：

H01L 43/08 Z , H01L 43/08 A , G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01F 10/30 , H01L 29/66 Z , H01L 27/10 447

Fターム (16件)：

5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049GC01 , 5F083FZ10 , 5F083GA30 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (2件)

複数の接合部を有する安定した磁気トンネル・デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-026291 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
スタックされたMTJセル・メモリの検出方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-374139 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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