フォトレジスト架橋単量体、フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-043101
公開番号（公開出願番号）：特開2000-239436
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2000年09月05日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】新規のフォトレジスト架橋単量体及びその製造方法の提供。【解決手段】遠紫外線領域で用いられ得る下記式(1)の架橋単量体、そのホモ重合体及びその共重合体から選択されるネガティブ型フォトレジスト架橋剤、及びこれを利用したフォトレジスト組成物に関するものであり、特に、架橋剤は化学増幅型であると同時に高分子で構成された架橋剤であるため、架橋の密度が非常に大きく光敏感度が求められるArF(193nm)又はEUV用フォトレジストの製造に有用である。

請求項（抜粋）：

下記式(1)に示されるフォトレジスト架橋単量体。【化1】前記式(1)で、X1及びX2は、それぞれCH2、CH2CH2、O又はSであり、p及びsは、0〜5のいずれかの整数であり、qは0又は1であり、R'及びR''は、それぞれ水素又はメチルであり、Rは、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエーテル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアセタール、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエーテル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエステル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたケトン、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたカルボン酸、及び一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアセタールからなる群から選択されたものであり、R1及びR2は、それぞれ、水素、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアセタール、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエステル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたケトン、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたカルボン酸、及び一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアセタールからなる群から選択されたものである。

IPC (6件)：

C08K 5/156 , C08F 32/08 , C08L101/00 , G03F 7/038 601 , G03F 7/30 , G03F 7/32

FI (6件)：

C08K 5/156 , C08F 32/08 , C08L101/00 , G03F 7/038 601 , G03F 7/30 , G03F 7/32

引用特許：

審査官引用 (3件)

レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-346601 出願人：和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
新規なモノマー及びこれを用いて得られるポリマー
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-346607 出願人：和光純薬工業株式会社
アセタール化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-219444 出願人：信越化学工業株式会社

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