特許
J-GLOBAL ID：200903049235921728
準結晶薄膜の作製方法および作製装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-257019
公開番号（公開出願番号）：特開平7-113168
出願日： 1993年10月14日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 不純物膜が生じにくい準結晶薄膜の作製方法および作製装置を提供する。【構成】 温度調節手段(10)により基板(9)が適切な温度に調節されるとともに、レーザー照射手段(2)によってターゲット(8)にレーザー光が照射される。これにより、ターゲット(8)の表面から粒子が放出し(レーザーアブレ-ション)、この粒子が基板(9)上に堆積して基板(9)上に準結晶薄膜が作製される。ここで、基板温度を高くすることは必須ではないため、生成すべき準結晶薄膜の特性に合わせて基板温度を適切に選択することができ、作製される準結晶薄膜と基板(9)との間の熱拡散による化学反応を抑制して、不純物膜の発生を抑えることができる。また、レーザーアブレ-ションを利用して薄膜を形成するので、組成ずれの少ない準結晶薄膜を得ることができる。
請求項（抜粋）：
ターゲットにレーザー光を照射して該ターゲット表面から粒子を放出させ、該粒子を基板上に堆積させることにより該基板上に準結晶薄膜を作製することを特徴とする準結晶薄膜作製方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/268
, C23C 14/28
