特許

J-GLOBAL ID：200903049236007086

半導体装置の製造方法

発明者： 渡嘉敷 健 ,  佐藤 聖幸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-213908
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078396
出願日： 1994年09月07日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 Ru酸化物及びRuのドライエッチングによる微細加工で、高エッチ速度と高選択比のエッチングを容易に実現でき、生産性の高い半導体装置製造法を提供する。【構成】 Si基板1上にスパッタリングによりRuO2膜2を形成した後、SOG膜3を塗布した上に感光材料を塗布し露光装置を用いてレジストパターン4を形成する。次にECRドライエッチング装置を使用し、ハロゲンガス並にハロゲン水素からなるガス(例CHF3ガス)を用いてSOG膜3をパターニングする。その後酸素プラズマアッシングによりレジストパターン4を灰化し完全に剥離して、SOG膜3のエッチングマスクを形成し、RuO2膜2を酸素と塩素の混合ガスプラズマにより所望のパターンに加工した。

請求項（抜粋）：

ルテニウム酸化物を含む半導体装置の製造方法において、フッ素ガス、塩素ガス、臭素ガス、沃素ガス、そしてこれらのうち少なくとも一つを含むハロゲンガス、並びにハロゲン化水素ガスから成る群から選択される少なくとも一種類またはそれ以上と、酸素ガスとを含む混合ガスを用いて、前記ルテニウム酸化物をドライエッチングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置を製造する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-203645   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法、薄膜キャパシタ素子の製造方法およびその方法を実施するためのプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-302703   出願人：三菱電機株式会社