特許

J-GLOBAL ID：200903049239222514

半導体レーザ素子

発明者： 粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-301290
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131116
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 レーザ特性を向上させた埋め込み型の半導体レーザ素子を提供する。【構成】 ストライプ状に形成され、少なくとも活性層13を含むメサ部分と、該メサ部分の両側を埋め込む、n型InP層12とp型ドーパントを含むp型InP層14で挟まれたFeを含む半絶縁性InP電流阻止層16とを備えた埋め込み型の半導体レーザ素子において、半絶縁性InP電流阻止層16とそれを挟む二つのInP層の一方のp型InP層14との間にノンドープまたはn型のGaInAs(P)層17を挿入する。

請求項（抜粋）：

ストライプ状に形成され、少なくとも活性層を含むメサ部分と、該メサ部分の両側を埋め込む、n型InP層とp型ドーパントを含むp型InP層で挟まれたFeを含む半絶縁性InP電流阻止層とを備えた埋め込み型の半導体レーザ素子において、半絶縁性InP電流阻止層とそれを挟む二つのInP層の一方のp型InP層との間にノンドープまたはn型のGaInAs(P)層が挿入されてなることを特徴とする半導体レーザ素子。