特許

J-GLOBAL ID：200903049241640838

半導体装置

発明者： 大川 誠 ,  飯田 眞喜男 ,  三浦 昭二 ,  石原 治 ,  神谷 哲章
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-078009
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291260
出願日： 1993年04月05日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 薄膜抵抗体でのレーザー光エネルギーの吸収率の変動を抑えて、薄膜抵抗体の抵抗値をレーザー光によって調整することが容易な半導体装置を提供する。【構成】 Si基板を熱酸化して埋込みSiO2 層6を形成した基板7と、表面にSbを拡散して高濃度N+ 拡散層9を形成したN- 型の基板10とを貼合わせ接合し、基板10を研磨する。その研磨面よりリンイオンをイオン注入・熱拡散によりN+ 拡散層9よりも高濃度のN+ 拡散部8を形成する。次に基板10表面上にBPSG膜4を形成し、CrSi膜からなる薄膜抵抗体3、TiW膜11を成膜しパターニングする。次にSiを1%含むAl配線2を形成する。さらに余分なTiW薄膜11をエッチング除去し、保護膜1となる酸化シリコン膜12,窒化シリコン膜13を形成する。最後に保護膜1に配線用窓開けを行う。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成され高濃度不純物拡散部が設けられた半導体層と、該半導体層の前記高濃度不純物拡散部の上方に配置されレーザー光により抵抗値調整される薄膜抵抗体と、を有することを特徴とした半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28