特許

J-GLOBAL ID：200903049246383221

半導体装置

発明者： 今岡 俊一 ,  平井 利和 ,  澤井 徹郎 ,  宇田 尚典 ,  原田 八十雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093036
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310662
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 高密度に集積化しても、一方の回路から放射した高周波信号電力が、相隣する他方の回路に伝播しないようにする。【構成】 半導体基板10に集積化された回路を区分する位置に、MIM キャパシタC1 ,C3 ,C6 ,C4 ,C10を配置する。MIM キャパシタC1 ,C3 ,C6,C4 ,C10の一方の導体BをボンディングワイヤWE を介して接地する構成にする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に、マイクロ波用トランジスタ等の能動素子と、整合回路、MIM キャパシタ等からなる受動回路とをマイクロストリップ線路を介して集積化された回路を形成している半導体装置において、前記能動素子及び受動回路を集積化した回路を区分する位置に、前記MIM キャパシタを配置しており、該MIM キャパシタの一方の導体を接地すべく構成していることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 23/12 301 ,  H01P 3/08 ,  H04B 1/18 ,  H03D 7/00