特許
J-GLOBAL ID：200903049249687973
半田皮膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293752
公開番号（公開出願番号）：特開平5-106018
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月27日
要約：
【要約】【構成】 銅又は銅合金素材(1)上に無電解錫めっき皮膜(2)及び無電解鉛めっき皮膜(3)を順次形成した後、これらめっき皮膜(4)を加熱することによって、両皮膜(2,3)を構成する金属を互いに拡散させて、半田皮膜を得る。【効果】 ICパッケージ回路など、微細な銅又は銅合金素材にウィスカーの発生を確実に防止した半田皮膜を形成することができる。また、得られた皮膜は、均一微細で良好な特性を有するものである。
請求項（抜粋）：
銅又は銅合金素材上に無電解錫めっき皮膜及び無電解鉛めっき皮膜を順次形成した後、これらめっき皮膜を加熱することにより、両皮膜を構成する金属を互いに拡散させて、半田皮膜を得ることを特徴とする半田皮膜の形成方法。
IPC (4件)：
C23C 10/28
, B23K 1/20
, C23C 18/52
, H01R 43/16
