特許
J-GLOBAL ID：200903049258540942
配線形成法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-060222
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245345
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 配線形成法において、微細な接続孔に配線材料を良好に埋込む。【構成】 基板10の表面を覆う絶縁膜12に被接続部に対応する接続孔を形成した後、基板上面には、バリアメタル層13を介してAl等の配線材層14を減圧雰囲気中で被着する。配線材層14に流動性をもたせた状態でN2 ガスを導入するなどして雰囲気圧力を常圧又は陽圧に上昇させることにより配線材層14を接続孔内に押込む。このとき、配線材層14中の空洞Pが消失し、良好な埋込み状態となる。この後は、層13,14を適宜パターニングして配線層を得る。
請求項（抜粋）：
基板の表面に被接続部を覆って絶縁膜を形成した後、該絶縁膜に該被接続部に対応する接続孔を形成する工程と、前記絶縁膜の上に前記接続孔を覆って配線材層を減圧雰囲気中で被着する工程と、前記配線材層に流動性をもたせた状態で雰囲気圧力を減圧から常圧又は陽圧に上昇させることにより前記接続孔に前記配線材層を押込む工程と、前記配線材層をパターニングして前記被接続部につながる配線層を形成する工程とを含む配線形成法。
IPC (2件)：
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