特許
J-GLOBAL ID：200903049264091718
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-146480
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335444
出願日： 1997年06月04日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置のトレンチ分離形成プロセスで、トレンチ内に空隙を生じさせることなく、なおかつトレンチ分離の繰り返しピッチをリソグラフィ技術の限界にまで小さくすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 トレンチ分離を形成する工程において、ハードマスクを用いてシリコン基板をトレンチエッチングする工程と、上部がテーパーである形状に該ハードマスクを加工する工程と、を少なくとも含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
素子分離領域を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を所定形状にエッチングして絶縁膜マスクを形成する工程と、前記絶縁膜マスクを用いて前記半導体基板をエッチングして溝を形成する工程と、前記絶縁膜マスクの形状を上部の幅が下部の幅よりも狭くなるようなテーパー形状に加工する工程と、前記溝に絶縁材料を埋め込む工程と、を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/76
, H01L 21/3065
, H01L 21/306
H01L 21/76 L
, H01L 21/302 L
, H01L 21/306 Q
