特許

J-GLOBAL ID：200903049268634759

シリコン窒化膜の形成方法

発明者： 筑根 敦弘
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-307015
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148324
出願日： 1995年11月27日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】シリコン窒化膜中及び基板とシリコン窒化膜との界面に存在する酸素の量を低減できて、容量素子の誘電体として好適なシリコン窒化膜を形成できるシリコン窒化膜の形成方法を提供する。【解決手段】真空引きしたチャンバ1内にウェハ10を入れ、ウェハ10を約800°Cに加熱して、チャンバ1内にジメチルヒドラジンガスを供給する。そして、ウェハ10の表面の自然酸化膜を十分除去した後、チャンバ1内にアンモニア又はモノメチルヒドラジンのガスを供給し、前記ジメチルヒドラジンガスの供給を停止する。これにより、ウェハ10上にシリコン窒化膜が形成される。

請求項（抜粋）：

表面にシリコン層を有する基板をチャンバ内に入れ、該チャンバ内にジメチルヒドラジンのガスを供給しつつ前記基板を加熱して前記シリコン層上の自然酸化膜を除去し、続けて、前記チャンバ内にアンモニア又はモノメチルヒドラジンのガスを供給して前記基板上にシリコン窒化膜を形成することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 21/318 A ,  H01L 27/10 651