特許

J-GLOBAL ID：200903049272603582

多層配線の接続構造

発明者： 岡田 克也 ,  東谷 恵市
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-101066
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297826
出願日： 1998年04月13日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置を平坦化でき、スルーホールを製造する工程が増加しない多層配線の接続構造を提供する。【解決手段】 多層配線の接続構造は、シリコン基板1と、シリコン基板1上に形成された、上面6aと側面6bを有する導電層6と、導電層6の側面6bに接し、かつ導電層の上面6aを露出させるように形成された側壁層7および8と、導電層6の上面6aに達するスルーホール9を有する絶縁層13とを備える。絶縁層13がエッチングされる速度は側壁層7および8がエッチングされる速度よりも速い。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された、上面と側面とを有する第1導電層と、前記第1導電層の側面に接し、かつ前記第1導電層の上面を露出させるように形成された側壁層と、前記第1導電層と前記側壁層とを覆い、前記第1導電層の上面に達する貫通孔を有する絶縁層と、前記貫通孔を充填して前記第1導電層に接するように前記絶縁層の上に形成された第2導電層とを備え、前記絶縁層がエッチングされる速度は、前記側壁層がエッチングされる速度よりも速い、多層配線の接続構造。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 B