特許
J-GLOBAL ID：200903049276241472

ハイドライド気相成長法による平坦で低転位密度のm面窒化ガリウムの成長

発明者：
ベンジャミン・エー・ハスケル

ベンジャミン・エー・ハスケル について

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メルヴィン・ビー・マクローリン

メルヴィン・ビー・マクローリン について

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スティーブン・ピー・デンバース

スティーブン・ピー・デンバース について

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ジェームス・エス・スペック

ジェームス・エス・スペック について

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中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア

ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア について

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独立行政法人科学技術振興機構

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代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-515412
公開番号（公開出願番号）：特表2008-501606
出願日： 2005年05月31日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【課題】非常に平坦性で完全な透明性と鏡面性をもつm面窒化ガリウム(GaN)膜を成長する方法。【解決手段】本方法は、選択横方向成長技術によって構造欠陥密度の大幅な低減を実現する。高品質で、一様で、厚いm面GaN膜は分極のないデバイスの成長のための基板として用いるために作製される。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
(a)ハイドライド気相成長法によって平坦なm面GaN膜を直接成長させる工程、および (b)前記GaN膜の選択横方向成長を行って、前記平坦なm面GaN膜中の貫通転位と欠陥の密度を低減する工程 を備えたことを特徴とする、平坦なm面窒化ガリウム(GaN)膜を成長する方法。
IPC (6件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (6件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610
Fターム (61件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TB04 ,  4G077TC03 ,  4G077TC08 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB14 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA64 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD11 ,  5F045AF02 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA61 ,  5F045DA67 ,  5F173AH22 ,  5F173AP07 ,  5F173AP19 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ13 ,  5F173AQ14 ,  5F173AQ15 ,  5F173AR82
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (2件)

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