特許

J-GLOBAL ID：200903049276303630

半導体装置及びその製造方法

発明者： 原田 康樹 ,  寺田 典裕
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 藤田 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292119
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107118
出願日： 1995年10月12日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 安価に量産することができる3次元基板形状の特性の優れた半導体装置を提供する。【解決手段】 少なくとも薄膜半導体を形成した基板1が形状変化を記憶した素材からなる。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも薄膜半導体を形成した半導体装置において、前記基板が形状を記憶した素材からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 31/04 ,  C22C 38/00 302 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (6件)：

H01L 31/04 M ,  C22C 38/00 302 V ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 31/04 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 3次元形状光起電力素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-110035   出願人：三洋電機株式会社