特許
J-GLOBAL ID：200903049281728126
半導体デバイスのレーザー処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-066592
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249592
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 レーザー光の照射によって特性(特に、しきい値電圧)の均一性のよい半導体デバイスを制作する方法を提供する。【構成】 線状に加工したレーザー光を基板状の半導体デバイスもしくは半導体デバイスとなるべき物体に照射する。その際に、最初は低エネルギーのレーザー光を照射(第1レーザー照射)し、ついで、基板を回転させて、前記第1レーザー照射のレーザー光に対して直角になるように第1レーザー照射よりも大きなエネルギーのレーザー光を照射(第2レーザー照射)する。その結果、レーザー照射による半導体の結晶性が均一となり、特性が安定する。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスの形成された基板もしくは半導体デバイスとなるべき物体の形成された基板に対して線状のレーザー光を走査しつつ照射する第1の工程と、前記基板を(n/2+1/4)回転(nは自然数)させる第2の工程と、前記基板に対して第1の工程で用いられたレーザー光のエネルギー密度より大きな線状のレーザー光を第1の工程と同じ方向に走査しつつ照射する第3の工程とを有することを特徴とする半導体デバイスのレーザー処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/268
, H01L 21/324
