特許

J-GLOBAL ID：200903049283909330

半導体装置の製造方法

発明者： 奥 友希 ,  酒井 将行
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070579
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275549
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 ソース・ドレイン電極とメッキ金属間での金属の拡散を防止するためのバリヤメタルに関し、その汚染を防止し、バリヤ効果を保持できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体装置のバリヤメタル6aを絶縁膜12上にスパッタで形成し、エアーブリッジを一定間隔に配置された円状、角状、短冊状の貫通孔を有する構造とし、絶縁膜12の除去をエアーブリッジの貫通孔となる穴部15を利用してプラズマエッチングにより行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたソース・ドレイン電極上に、エッチング速度の小さい第1の絶縁膜を下層に、エッチング速度の大きい第2の絶縁膜を上層に被着し、上記2層の絶縁膜にレジストをマスクにしてコンタクトホールを形成する工程と、上記レジストを除去した後上記第2の絶縁膜およびコンタクトホール上にバリヤメタル、給電層メタルを順次被着する工程と、上記給電層メタル上にメッキパターン形成用レジストでパターニングし、メッキ金属形成を行う工程と、上記メッキ金属をマスクにして、上記のメッキパターン形成用レジスト、給電層メタル、バリヤメタルを順次除去する工程と、上記エッチング速度の大きい第2の絶縁膜を除去して、貫通孔を有するエアーブリッジを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。