特許
J-GLOBAL ID:200903049286120665
粒状シリコン多結晶の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
志賀 正武 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-188986
公開番号(公開出願番号):特開平5-078115
出願日: 1991年07月29日
公開日(公表日): 1993年03月30日
要約:
【要約】【目的】 連続引上法に用いて好適な、内部に不純物等を含有しない均一な大きさ及び形状の粒状シリコン多結晶を得る。【構成】 アルゴンガスの流れる粒化室3内において、シリコン単結晶ブロック18を通電加熱しつつ、軸線回りに回転せしめ、その上部からシリコンの溶融体を流下し、ブロック18の表面部から飛散して形成された粒状シリコン多結晶を回収する。ブロック18の表面部の温度は1100°C〜1300°Cとする。
請求項(抜粋):
不活性ガス雰囲気の反応室内において、耐熱性素材からなる棒状体を、表面部を1100°C〜1300°Cに加熱しつつ、軸線を水平面と略平行にした状態において回転させ、該棒状体の上方から該棒状体上にシリコンの溶融体を流下し、該棒状体から飛散させて粒状シリコン多結晶を形成することを特徴とする粒状シリコン多結晶の製造方法。
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