特許

J-GLOBAL ID：200903049287072427

半導体レーザ装置

発明者： 新田 康一 ,  波多腰 玄一 ,  岡島 正季
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-348537
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193320
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】TE偏光/TM偏光比の大きな半導体レーザ装置を提供すること。【構成】n型InGaAlPクラッド層13とp型InGaAlPクラッド層19とで、アンドープInGaP量子井戸層15、アンドープInGaAlP量子井戸層16、アンドープInGaP量子井戸層17からなる量子井戸構造の活性層を挟んでなるダブルへテロ接合構造部と、p型InGaAlPクラッド層19上に設けられ、レーザ発振波長に対して吸収損失を有するAu金属層24とを備えている。

請求項（抜粋）：

導電型の異なる二つのクラッド層で活性層を挟んでなるダブルへテロ接合構造部と、このダブルヘテロ接合構造部に接して形成された光導波構造部とを有する半導体レーザ装置において、前記光導波構造部内に設けられ、レーザ発振波長に対してTM偏光損失およびTE偏光損失を有する金属層とを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-124887
  
• 特開昭55-039612