特許
J-GLOBAL ID：200903049289249022
半導体ウエハ等の蒸気乾燥方法及びその蒸気乾燥装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-299793
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162434
出願日： 1994年12月02日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 最終水洗から蒸気乾燥を1つの容器で可能とすると共に低温乾燥を可能にすることにある。【構成】 並列収納された多数枚の被乾燥媒体Wを蒸気雰囲気中で蒸気との置換により乾燥する半導体ウエハ等の蒸気乾燥方法に於いて、上記被乾燥媒体Wを容器1内に並列収納した後に同容器1の上部開口を密閉せしめ、その底部から温水Hを送り込みながら且つ被乾燥媒体Wが没入状に侵漬するその上部側部位からオーバーフローさせながら最終水洗を行った後、オーバーフローを閉じて容器1内温水Hをその底部から吸引排水しながら且つ前記上部側部位から容器1内に有機蒸気を送り込み、蒸気置換がなされた時点で蒸気供給を停止させ、前記吸引のみを継続させて容器1内を減圧することである。
請求項（抜粋）：
並列収納された多数枚の被乾燥媒体を蒸気雰囲気中で蒸気置換により乾燥する半導体ウエハ等の蒸気乾燥方法に於いて、上記被乾燥媒体を容器内に並列収納して同容器の上部開口を密閉せしめた後に、その底部から温水を送り込みながら且つ被乾燥媒体が没入状に侵漬するその上部側からオーバーフローさせながら最終水洗を行った後、オーバーフローを閉じて容器内温水をその底部から吸引排水しながら且つ上部側から有機蒸気を送り込み、蒸気置換がなされた時点で蒸気供給を停止させて継続する前記吸引により容器内を減圧する事を特徴とした半導体ウエハ等の蒸気乾燥方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 351
, H01L 21/304 361
, B08B 3/08
, F26B 5/04
, F26B 19/00
