特許
J-GLOBAL ID：200903049296203909
半導体レーザー及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 英彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-261086
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115244
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザーチップスタックに固定される凸レンズの形成と外部光学系の設計を容易にすること。【構成】 発光部となる活性層13、23が厚さ方向のほぼ中央に形成され、この活性層13、23の両端に互いに対向する一対の反射面34、35が形成された半導体レーザーチップスタック1と、前記一対の反射面34、35の内一方の一部透過反射面34に固定され、この反射面34から放出されるレーザー光を集光する透光性材料製凸レンズ36とを具備する半導体レーザー。
請求項（抜粋）：
発光部となる活性層が厚さ方向のほぼ中央に形成され、この活性層の両端に互いに対向する一対の反射面が形成された半導体レーザーチップスタックと、前記一対の反射面の内一方の一部透過反射面に固定され、この一部透過反射面から放出されるレーザー光を集光する透光性材料製凸レンズとを具備することを特徴とする半導体レーザー。
引用特許：
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