特許

J-GLOBAL ID：200903049300211946

低温焼成ガラスセラミック基板およびその製造方法

発明者： 石亀 重治
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-036204
公開番号（公開出願番号）：特開平7-242439
出願日： 1994年03月08日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 Ag,Au,Cu等の導体を使用でき、シリコンチップと同程度の熱膨張係数を有する、900°C以下の温度で30分以下の短時間で焼成可能な低温焼成ガラスセラミック基板とその製造方法を提供する。【構成】 重量%でMgO5〜30,Al2 O3 10〜25,SiO2 40〜65,ZnO1〜10,B2 O3 1〜15,CaO1〜10,BaO1〜10,Li2 O0.1〜3,Na2 O0.5〜5,K2 O0.5〜5からなり、コージェライトとして30〜95重量%を含有し1MHzでの誘電率が7以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

重量%でMgO5〜30,Al2 O3 10〜25,SiO240〜65,ZnO1〜10,B2 O3 1〜15,CaO1〜10,BaO1〜10,Li2 O0.1〜3,Na2 O0.5〜5,K2 O0.5〜5からなり、α-コージェライトとして30〜95重量%を含有し1MHzでの誘電率が7以下であることを特徴とする低温焼成ガラスセラミック基板。

IPC (2件)：

C03C 10/08 ,  H05K 1/03