特許
J-GLOBAL ID：200903049300310480
半導体レーザー
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001385
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106686
出願日： 1983年02月22日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 利得ガイド型と屈折率ガイド型レーザーの両特徴を併せ持つ。【構成】 半導体基体の一主面上に、少なくとも第1のクラッド層、活性層、第2のクラッド層、キャップ層が順次積層され、上記キャップ層上に第1の電極が形成され、上記半導体基体の他の主面に第2の電極が形成され、ストライプ幅が光端面より離れたところでS1 で、光端面でS2 であり、その間で上記ストライプ幅が連続的に変化しているプレーナストライプ構造の半導体レーザーにおいて、S1 を5〜10μm、S2 を0.5〜4μmに設定したことを特徴とする半導体レーザー。
請求項（抜粋）：
半導体基体の一主面上に、少なくとも第1のクラッド層、活性層、第2のクラッド層、キャップ層が順次積層され、上記キャップ層上に第1の電極が形成され、上記半導体基体の他の主面に第2の電極が形成され、ストライプ幅が光端面より離れたところでS1 で、光端面でS2 であり、その間で上記ストライプ幅が連続的に変化しているプレーナストライプ構造の半導体レーザーにおいて、接合面に平行な光の仮想的光源の、上記光端面からの距離をD、該光端面から出射する光の等位層面の曲率半径をR、上記光端面での光の近視野像の半値幅をWとすると、WをパラメータにしてDがRのある値において極大となり、Wが大きいほどDが大きいことにより、またほぼ独立にS1 が大きいほどRが大きく、S2 が大きいほどWが大きいことを用いて、S1 を5〜10μm、S2 を0.5〜4μmに設定したことを特徴とする半導体レーザー。
引用特許：
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