特許
J-GLOBAL ID：200903049300704292
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-261458
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112346
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 正常レベルの高周波信号の入出力が安定して行える半導体装置を得る。【構成】 評価基板2の高周波信号用電極8上に高周波信号用リード端子5が直接形成される。高周波信号用リード端子5及び高周波信号用電極8に電気的に接続することなく、高周波信号用リード端子5の上部半周を間隙を有しながら覆って、半円筒形の金属製のシールド導体12が設けられる。シールド導体12は、金属キャップ11の側面11Aに金属キャップ11と一体となって形成されるともに、半円部の両端から延設された張出平坦部12Aが評価基板2の接地電極21上に直接形成される。【効果】 装置本体,評価基板間の信号線路の特性インピーダンスの値をより正確に設定可能にしたため、高周波信号の入出力を安定して行うことができる。
請求項（抜粋）：
高周波信号の入出力を高周波信号用リード端子を介して行う半導体集積回路を含んだ装置本体と、表面に高周波信号用電極領域を有し、外部との前記高周波信号の授受を行う評価基板とを備え、前記高周波信号用電極領域上に前記高周波信号用リード端子が直接形成され、前記高周波信号用リード端子及び前記高周波信号用電極領域に電気的に接続することなく、前記高周波信号用リード端子の周囲を間隙を有して囲繞する導電体をさらに備えた半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/04
, H01L 23/12 301
, H05K 9/00
