特許

J-GLOBAL ID：200903049314985235

レチクルパターン欠陥修正方法

発明者： 清水 澄人
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-226738
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102296
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 荷電粒子線露光装置に使用されるレチクルを製作する場合、パターン欠陥のないレチクルを作る事は事実上不可能であり、何らかの修正が必要である。しかしながら、従来よりも格段に高精細なパターン形成が要求されるレチクル修正を可能にする方法がなかった。【解決手段】 レチクルパターンの修正工程中において、必要な適性を有する物質を必要な部分に容易にデポジットする方法と設計値より出た余分な基板物質を高精度に除去する方法を使い分けることを基本として、欠陥部の検査工程、物質のデポジット工程、修正後の検査工程、設計値より出た部分の除去工程を有するようにした。デポジット工程には、材料ガスを供給しながらイオンビームあるいは電子線等を照射させてFIB誘導成膜法あるいはEB誘導成膜法が、不要部の除去には、FIBによる選択的ミリングエッチング法、あるいは選択的ガスアシストエッチング法による選択的エッチング法が有効である。

請求項（抜粋）：

荷電粒子線縮小投影露光機に用いるレチクルの欠陥修正法であって、該レチクルのパターン欠陥検査をする工程と、該レチクルの製作時に本来形成されているべき荷電粒子線散乱体の欠損部(白欠陥部)に材料ガスを供給しながらイオンビームあるいは電子線等を照射させて該白欠陥部に選択的に成膜を行う工程と、選択的に成膜した白欠陥修正部分を必要に応じて再度パターン欠陥を検査する工程と、白欠陥部の修正のために選択的に成膜した部分が、本来なら荷電粒子散乱体が形成されてはいけない部分(黒欠陥部)となった後に該黒欠陥部を選択的エッチング法によって設計されたパターンに調整加工する工程と、を有することを特徴としたレチクルパターン欠陥修正方法。

IPC (8件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/365 ,  G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  G01N 23/04 ,  G01N 23/225

FI (9件)：

G03F 1/16 G ,  H01L 21/365 ,  G01N 1/32 B ,  G01N 23/04 ,  G01N 23/225 ,  H01L 21/30 541 B ,  H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/302 D ,  G01N 1/28 G