特許

J-GLOBAL ID：200903049315575510

張り合わせ基板の製造方法およびトランジスタの製造方法

発明者： 守屋 博之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-096930
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293590
出願日： 1995年04月21日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、不純物の偏析によるSOI基板のシリコン層の不純物濃度が変動するのを抑制し、いわゆるキンクの発生を無くしてトランジスタの電流-電圧特性の向上を図る。【構成】 シリコン基板11に溝12を形成して凸状部13を形成し(第1工程)、溝12の内壁を含むシリコン基板11の表面にホウ素を含む酸化シリコン膜14を形成し(第2工程)、次いで酸化シリコン膜14の表面に平坦化膜15を形成した後、その表面を支持基板16に張り合わせ(第3工程)、その後酸化シリコン膜14をストッパにしてシリコン基板11を裏面側から除去し、残した凸状部13でシリコン層17を形成し(第4工程)、さらに上記第2工程以降に、酸化シリコン膜14中のホウ素をシリコン層17の界面近傍に拡散させて拡散層18を形成する(熱処理工程)。そしてこのシリコン層17にMIS型トランジスタ(図示省略)を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に溝を形成して凸状部を形成する第1工程と、前記溝の内壁を含む前記シリコン基板表面にホウ素を含む酸化シリコンからなる絶縁膜を形成する第2工程と、前記絶縁膜の表面に平坦化膜を形成した後、該平坦化膜の表面を支持基板に張り合わせる第3工程と、前記絶縁膜をストッパにして前記シリコン基板の裏面側から除去して、前記シリコン基板の凸状部を残してシリコン層を形成する第4工程と、前記第2工程以降に行う工程であって、前記絶縁膜中のホウ素を前記シリコン層界面近傍に拡散させる熱処理工程とを備えたことを特徴とする張り合わせ基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/762 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 F ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/78 627 D