特許

J-GLOBAL ID：200903049317242535

ジベンゾイルメタン誘導体

発明者： 茂木 久雄 ,  竹澤 好昭
出願人/特許権者： 東芝シリコーン株式会社
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-034744
公開番号（公開出願番号）：特開平5-230071
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月07日
要約：

【要約】【目的】 シリコーン材料に対して優れた溶解性を有すると共に、紫外線吸収性能の高い新規なジベンゾイルメタン誘導体を提供する。【構成】 一般式【化1】(式中、R1は水素原子、アルキル基またはアルコキシ基、R2は置換または非置換の1価の炭化水素基、Y はアルコキシ基、アリールオキシ基または水酸基であり、a は1または2、n は0〜3の整数を示す)で表されるジベンゾイルメタン誘導体。

請求項（抜粋）：

一般式【化1】(式中、R1は水素原子、アルキル基またはアルコキシ基、R2は置換または非置換の1価の炭化水素基、Y はアルコキシ基、アリールオキシ基または水酸基であり、a は1または2、n は0〜3の整数を示す)で表されるジベンゾイルメタン誘導体。

IPC (4件)：

C07F 7/08 ,  C07C 49/84 ,  C07F 7/18 ,  C09K 3/00 104

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-075633
  
• 特開平4-368392