特許
J-GLOBAL ID：200903049317517135
SOI基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236596
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139297
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【課題】 SOI基板のSOI層を、膜厚の均一性が良好で、高品質の低濃度単結晶シリコンとすることを目的とする。【解決手段】 KOH液あるいはEPW液等の濃度差エッチング液で、活性層側ウェハ15の低濃度シリコンウェハ10を、張り合わせ面から離れた面から選択エッチングする(削っていく)。つぎに、還元性雰囲気のもとで熱処理を行う。そうすると、熱処理中に、p形高濃度シリコン層11中の不純物はp形高濃度シリコン層11の表面から大気中へ拡散する。その結果、p形高濃度シリコン層11中の不純物は減少し、p形高濃度シリコン層11は低濃度シリコン層21へと変わる
請求項（抜粋）：
所望の導電形不純物を第1不純物濃度で有する第1の半導体基板の一面に、前記第1不純物濃度より高い第2不純物濃度で前記所望の導電形不純物を有する半導体層を形成する工程と、前記第1の半導体基板の前記半導体層の表面を、絶縁膜で覆われた第2の半導体基板に接着する工程と、前記半導体層の形成されていない側の面から第1の半導体基板を削っていって前記半導体層を露出する工程と、前記半導体層の接着された前記第2の半導体基板を還元性雰囲気中で加熱して、前記半導体層の不純物濃度を低減する熱処理工程とを少なくとも備えたことを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/306
, H01L 21/324
