特許

J-GLOBAL ID：200903049318286862

半導体レーザチップの製造方法とその方法に用いられる製造装置

発明者： 上田 禎亮
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-299405
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124537
出願日： 1998年10月21日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 簡便かつ低コストで歩留りよく半導体レーザチップを製造し得る方法とその方法に使用される製造装置を提供する。【解決手段】 半導体レーザチップの製造方法は、半導体ウェハ1を各レーザ素子1aの共振器長の幅を有する複数のバー状部分8に分割するプロセスにおいて、ウェハ1の第1主面の端部に分割のきっかけとなるべきスクライブ傷2を入れ、受け台5の平坦な支持面にウェハ1の第1主面が対面するように弾性シート11を介してウェハ1を配置し、ウェハ1の第1主面と反対側の第2主面上でスクライブ傷2に対応する位置に分割刃を押圧することによって、スクライブ傷2から劈開面を進展させてウェハ1を分割することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

複数のレーザ素子が形成された半導体ウェハを各レーザの共振器長の幅を有する複数のバー状部分に分割するプロセスにおいて、前記ウェハの第1の主面の端部に前記分割のきっかけとなるべき小さなスクライブ傷を入れ、受け台の平坦な支持面に前記ウェハの前記第1主面が対面するように、弾性シートを介して前記ウェハを配置し、前記ウェハの前記第1主面と反対側の第2主面上で前記スクライブ傷に対応する位置に分割刃を押圧することによって、前記スクライブ傷から劈開を進展させて前記ウェハを分割することを含むことを特徴とする半導体レーザチップの製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/02 ,  H01L 21/301

FI (2件)：

H01S 3/18 610 ,  H01L 21/78 V

Fターム (1件)：

5F073DA32

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-296580
  
• 短冊状ワ-クのへき開装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-256782   出願人：株式会社東芝