特許

J-GLOBAL ID：200903049318687018

半導体発光装置に用いる静電気保護用ダイオード及びその製造方法

発明者： 前田 修作
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-172424
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012913
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体発光素子の静電気保護用としてより一層好適に利用できる静電気保護用ダイオード及びその製造方法の提供。【解決手段】 発光素子1をp側とn側とを逆極性として導通させる静電気保護用のSiダイオード素子8を、n型シリコン基板10にp型不純物を注入拡散してn型能動領域8aとp型能動領域8bの2区画として全断面に亘るように形成し、Siダイオード素子8の表裏両面にそれぞれp側とn側の電極の1組ずつを形成し、裏面側をリードフレームに及び表面側を発光素子1にそれぞれ導通可能な回路を持たせる。

請求項（抜粋）：

フリップチップ型の半導体発光素子を搭載してp側及びn側を逆極性として導通させる静電気保護用ダイオードであって、n型またはp型のシリコン基板の全断面に亘ってp型またはn型の逆極性の能動領域を区画して形成し、p側及びn側に区画された領域内であって半導体発光素子の搭載方向の両端面にそれぞれp電極及びn電極を形成してなる半導体発光装置に用いる静電気保護用ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/866

FI (2件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 29/90 D

Fターム (6件)：

5F041AA23 ,  5F041CA40 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA39 ,  5F041DA83