特許

J-GLOBAL ID：200903049325005577

酸化物圧電体の製造方法

発明者： 嶋貫 専治 ,  山下 洋八
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-061204
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251093
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】 大面積にしても単結晶内部に包有物、成長応力歪、双晶などの欠陥が生じず、しかも圧電特性や誘電特性に優れ、かつそれらの特性が均一な酸化物圧電体の製造方法を提供しようとするものである。【解決手段】 酸化物単結晶からなる基板上に酸化鉛を主成分とし、酸化ニオブおよび酸化タンタルから選ばれる少なくとも1つの酸化物を含む溶液をエピタキシャル成長させて酸化鉛を主成分とし、酸化ニオブおよび酸化タンタルから選ばれる少なくとも1つの酸化物を含む複合ペロブスカイト型酸化物圧電体を製造する方法において、前記基板の格子面間隔を(as )、前記複合ペロブスカイト型酸化物圧電体の格子面間隔を(ap )とした時、前記各格子面間隔の差(ap -as )を0.05nm以下に設定することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

酸化物単結晶からなる基板上に酸化鉛を主成分とし、酸化ニオブおよび酸化タンタルから選ばれる少なくとも1つの酸化物を含む溶液をエピタキシャル成長させて酸化鉛を主成分とし、酸化ニオブおよび酸化タンタルから選ばれる少なくとも1つの酸化物を含む複合ペロブスカイト型酸化物圧電体を製造する方法において、前記基板の格子面間隔を(as )、前記複合ペロブスカイト型酸化物圧電体の格子面間隔を(ap )とした時、前記各格子面間隔の差(ap -as )を0.05nm以下に設定することを特徴とする酸化物圧電体の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 19/12 ,  C30B 29/30 ,  H01L 41/24

FI (3件)：

C30B 19/12 ,  C30B 29/30 C ,  H01L 41/22 A