特許

J-GLOBAL ID：200903049329761830

半導体デバイスの素子分離膜の形成方法

発明者： ジャング セーオグ
出願人/特許権者： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリイズ カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 長谷 照一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-328218
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211710
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 半導体デバイスにおいて、バーズビークを減少させながら、フィールド酸化膜の厚さが薄くなる現象を防止して、活性領域の増加および良好な素子隔離を成す素子分離膜の形成方法を提供する。【構成】 半導体基板上に酸化防止用マスク物質膜パターンを形成するステップと、酸化工程を通じて局部的に酸化膜を形成し、さらにその酸化膜を除去して、この領域の半導体基板をエッチングしてマスク物質膜パターン側壁下部にアンダーカットを形成するステップと、上記マスク物質膜パターン側壁下部のアンダーカット部位に側面酸化防止用マスク物質膜を形成するステップと、酸化工程を通じて半導体基板のエッチング部位に素子分離用酸化膜を形成するステップを含んで成る。基板内部では深く形成し、基板上部には低い段差で形成して、素子のトポロジを緩和させ、バーズビークの減少、素子の高集積化、特性向上を図る。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの素子分離膜形成方法であって、半導体基板上に酸化防止用マスク物質膜パターンを形成するステップと、酸化工程により局部的に酸化膜を形成し、さらに当該酸化膜を除去して、この領域の半導体基板をエッチングしてマスク物質膜パターン側壁下部にアンダーカットを形成するステップと、上記マスク物質膜パターン側壁下部のアンダーカット部位に側面酸化防止用マスク物質膜を形成するステップと、酸化工程により半導体基板のエッチング部位に素子分離膜用酸化膜を形成するステップを含んで成るもの。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/76 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-109246
  
• 特開昭58-135655
  
• 特開昭60-124948
  
• 特開平2-116131