EEPROM

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-166550
公開番号（公開出願番号）：特開平5-012887
出願日： 1991年07月08日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】メモリセルのデータ消去時間及び書き込み時間を外部から任意に設定する。【構成】昇圧制御信号S1及びCLKを入力して消去高電圧VPを出力する昇圧回路5と、クロック開始信号S2により動作して信号CLKを出力するクロックジェネレータ4と、信号CLKにより信号TL,TE,およびTWを出力するカウンタ4と、アドレスデータA0〜A12を入力してその信号X,Yデコーダ9,10に出力するアドレスバッファ8と、データの入出力する(I/0)バッファ6と、メモリセル12からのデータを感知するセンスアンプ7と、Yデコーダ9からデコードされた信号を入力するYセレクタ11と、書込モード時にデータを一時ラッチしておくカラムラッチ13と、データを記憶しておくメモリセル12とを有している。【効果】実際に消去及び書込時間を測定することができる。

請求項（抜粋）：

外部から制御可能信号,出力エネーブル信号および書込可能信号を入力して昇圧制御信号および周辺回路制御信号を出力するコントロール回路と、前記昇圧制御信号を入力してクロック開始信号および消去用電圧を供給する昇圧回路と、前記クロック開始信号により発生するクロック信号をカウントしてロード終了信号,消去終了信号および書込終了信号を出力するカウンタとを有し、メモリセルのメモリ消去および書き込みを行なうEEPROMにおいて、前記コントロール回路と前記カウントとの間に、外部からテストモード信号を入力して前記昇圧制御信号を出力するテスト回路を付加したことを特徴とするEEPROM。

IPC (4件)：

G11C 16/06 , G11C 29/00 303 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 A , G11C 17/00 309 E , H01L 29/78 371

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