特許

J-GLOBAL ID：200903049343298093

半導体封止方法

発明者： 南 勝則 ,  伊藤 英雄
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-010051
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264574
出願日： 1996年01月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【課題】 エポキシ樹脂組成物を用いてフープ成形方式の射出成形により半導体封止を長時間の連続して実施すること。【解決手段】 多数の半導体封止部が連続して設けられた不定長のリードフレームに半導体素子を接合してワイヤボンディングし、次いで、このリードフレームを射出成形金型にインサートとして固定し、エポキシ樹脂封止材料を射出成形により金型内に注入し硬化させた後、成形されたリードフレームを突出し、続いて、このリードフレームを所定長さだけ移送し再びインサートとして固定し、リードフレームの前記成形された部分に続く非成形部において次の射出成形を行うことを特徴とする半導体封止方法。

請求項（抜粋）：

多数の半導体封止部が連続して設けられた不定長のリードフレームに半導体素子を接合してワイヤボンディングし、次いで、このリードフレームを射出成形金型にインサートとして固定し、エポキシ樹脂封止材料を射出成形により金型内に注入し硬化させた後、成形されたリードフレームを突出し、続いて、このリードフレームを所定長さだけ移送し再びインサートとして固定し、リードフレームの前記成形された部分に続く非成形部において次の射出成形を行うことを特徴とする半導体封止方法。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  H01L 23/28

FI (4件)：

H01L 21/56 R ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  H01L 23/28 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 液状樹脂射出成形金型
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-179527   出願人：東芝ケミカル株式会社
• 射出成形方法、金型及び射出成形機
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-065062   出願人：住友重機械プラスチックマシナリー株式会社, 住友重機械工業株式会社