アニーリングに関する改良

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川口義雄 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-604446
公開番号（公開出願番号）：特表2002-539607
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2002年11月19日
要約：

【要約】集積強誘電性デバイス(10)のアニーリングのための方法および装置が開示されており、そのデバイス(10)は、強誘電性状態で存在することができる第1の材料層と、マイクロブリッジ熱検出器などの第1の層の下で集積回路を規定する第2の材料層とを有する。この方法は、エネルギーのパルスを発生させる段階と、パルス延長手段(200)を用いてパルスを時間的に延長する段階と、第1の層を延長パルスで照射する段階とを有する。延長パルスの時間および波長およびフルエンスを選択して、集積回路の温度収支を超えることなく、第1の層の材料をアニーリングして強誘電性状態とする。加熱すべき層および温度感受性層を有する他の製造品の加熱に、この方法を適用することも開示されている。パルスの時間幅を延長することで、経時的に温度感受性層に損傷を与えることなく、第1の層をより均一に加熱するような速度でエネルギーが供給される。

請求項（抜粋）：

強誘電状態で存在することができる第1の材料層、および集積回路を規定する第2の材料層を有する、集積強誘電性デバイス(10)の製造方法であって、第1の時間幅を有するエネルギーパルスを発生させる段階(100)と、前記パルスを時間延長手段(200)を通過させることで、該パルスの時間幅を延長して、時間幅の長くなった処理パルスを発生させる段階と、第1の材料層を前記処理パルスで照射して、前記第2の材料層の集積回路の温度収支を超えることなく、第1の材料層における材料の一部または全体を、非強誘電性状態から強誘電性を示すことができる相に変換する、あるいは第1の材料層の材料の品質を改良する段階とを有する集積強誘電性デバイスの製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/268 , B23K 26/00 , G01J 1/02 , G01J 5/02 , H01L 27/105 , H01L 27/14 , H01L 37/00 , H01L 41/22 , B23K101:40

FI (9件)：

H01L 21/268 E , B23K 26/00 E , G01J 1/02 Y , G01J 5/02 P , H01L 37/00 , B23K101:40 , H01L 27/10 444 C , H01L 27/14 K , H01L 41/22 Z

Fターム (24件)：

2G065AB02 , 2G065BA13 , 2G065BA14 , 2G065BA34 , 2G065BC33 , 2G065DA18 , 2G065DA20 , 2G066BA04 , 2G066BA55 , 4E068AH00 , 4E068CA01 , 4E068CA03 , 4E068CD02 , 4E068DA11 , 4M118AA01 , 4M118AB01 , 4M118CB05 , 4M118CB12 , 5F083AD11 , 5F083FR01 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開昭54-092283

前のページに戻る