特許

J-GLOBAL ID：200903049347373618

誘電体層の成膜方法及び光学式情報媒体の製造方法

発明者： 磯村 秀己 ,  大田 啓之 ,  大野 鋭二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-114094
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308042
出願日： 1997年05月01日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】 【課題】オーバライト特性の優れた、レーザ光等の照射により情報の記録再生及び消去を行う光学式情報媒体の製造方法が従来実現されていない。【解決手段】ZnSとSi3N4あるいはZnSとSi3N4とSiO2の混合物からなるターゲットを用いて、不活性ガスと酸素の混合ガス雰囲気もしくは不活性ガスと酸素と窒素との混合ガス雰囲気、または不活性ガスと空気の混合ガス雰囲気で、スパッタ法で基板1上に成膜することにより、記録消去特性に優れ、オーバライト特性の優れた光学式情報媒体を製造できる。

請求項（抜粋）：

ZnSとシリコン窒酸化物の混合物を含む誘電体層を、ZnSと窒化ケイ素の混合物を含むターゲットを用いて、不活性ガスと酸素の混合ガス雰囲気もしくは不活性ガスと酸素と窒素との混合ガス雰囲気で、スパッタ法で成膜することを特徴とする誘電体層の成膜方法。

IPC (2件)：

G11B 7/26 531 ,  C23C 14/34

FI (2件)：

G11B 7/26 531 ,  C23C 14/34 A