特許
J-GLOBAL ID：200903049351623467
半導体ウェハー加熱装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-201075
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053145
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 ウェハー加熱面の均熱性を高めることができる半導体ウェハー加熱装置を提供する。【構成】 ウェハー加熱面2aを有する盤状のウェハー加熱用セラミック部材6に、抵抗発熱体7を埋設した構造のセラミックスヒーター2からなる半導体ウェハー加熱装置において、前記セラミック部材6のウェハー加熱面2以外の面に熱吸収率の分布を有するリフレクター5を設置する。
請求項（抜粋）：
ウェハー加熱面を有する盤状のウェハー加熱用セラミック部材に、抵抗発熱体を埋設した構造のセラミックスヒーターからなる半導体ウェハー加熱装置において、前記セラミック部材のウェハー加熱面以外の面に熱吸収率の分布を有するリフレクターを設置したことを特徴とする半導体ウェハー加熱装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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