特許

J-GLOBAL ID：200903049355691254

光デバイスの製造方法

発明者： 内田 護 ,  尾内 敏彦
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-349682
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160523
出願日： 1991年12月07日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】再成長界面の結晶品質の飛躍的向上により、任意構造の半導体レーザなどに適用可能な再成長技術である。【構成】半導体基板上に半導体レーザ等の活性層を有する光デバイスを製作する工程において、少なくとも2回の結晶成長の工程を有し、再成長の最初のエピタキシャル材料がAlを含む。酸化されたAlGaAsなどを高純度のAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(0<x≦1)304に接触させることにより、ゲッタリング効果を利用して再成長界面近傍の酸素濃度102を飛躍的に減少させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に半導体レーザ等の活性層を有する光デバイスを製作する工程において、少なくとも2回の結晶成長の工程を有し、再成長の最初のエピタキシャル材料がAlを含むことを特徴とする光デバイスの製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-076692
  
• 特開昭63-136586
  
• 特開平4-088628
  
• 特開平2-189989