特許
J-GLOBAL ID:200903049358264039

放射線半導体検出器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-081843
公開番号(公開出願番号):特開平11-281747
出願日: 1998年03月27日
公開日(公表日): 1999年10月15日
要約:
【要約】【課題】本発明の目的は、セル間のデッドスペースを減らし、セル密度を飛躍的に向上し得る放射線半導体検出器を提供することにある。【解決手段】本発明による放射線半導体検出器は、X方向に沿って配列された放射線検出用の複数の半導体セル1各々に対してバイアス電極2,3と信号電極4とを、信号電極4が隣り合うペアの半導体セル1で共有されるように配置し、バイアス電極2には比較的低いバイアス電圧を印加し、バイアス電圧3には比較的高いバイアス電圧を印加するように構成されている。
請求項(抜粋):
所定方向に沿って配列された放射線検出用の複数の半導体セル各々に対してバイアス電極と信号電極とを、前記信号電極が隣り合うペアの半導体セルで共有されるように配置し、前記バイアス電極には配列方向に沿って第1のバイアス電圧と第2のバイアス電圧を交互に印加するように構成したことを特徴とする放射線半導体検出器。
IPC (3件):
G01T 1/24 ,  G01T 1/161 ,  H01L 31/09
FI (3件):
G01T 1/24 ,  G01T 1/161 C ,  H01L 31/00 A

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