特許

J-GLOBAL ID：200903049359990370

マスク及びそれを用いた電子線露光方法

発明者： 田村 貴央
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-080007
公開番号（公開出願番号）：特開平10-274841
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 1チップ分のパターンを1ショットで描画する図形一括描画方式にも適用可能な、近接効果の影響を補正するマスク及びそれを用いた電子線露光方法を提供する。【解決手段】 所望のパターン形状に開口された開口パターンを有し、電子ビームのショット毎に開口パターンに対応する潜像パターンをレジストの所定の領域に形成する電子線露光方法で用いられるマスクであって、開口パターンの密度に応じてマスク基体を透過させる電子線量を変化させる手段を有する。ここで、電子線量を変化させる手段はマスク基体の厚さを変化させるものである。

請求項（抜粋）：

所望のパターン形状に開口された開口パターンを有し、電子ビームのショット毎に前記開口パターンに対応する潜像パターンをレジストの所定の領域に形成する電子線露光方法で用いられるマスクであって、前記開口パターンの密度に応じて、マスク基体を透過させる電子線量を変化させる手段を有することを特徴とするマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/16 ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/16 B ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 541 S