特許

J-GLOBAL ID：200903049360391269

酸化物薄膜とその製造方法、およびそれを用いた超電導素子

発明者： 長野 利彦 ,  橋本 龍典 ,  吉田 二朗
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-097457
公開番号（公開出願番号）：特開平7-309700
出願日： 1994年05月11日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 基板と酸化物超電導体層や酸化物超電導体層とバリア層の界面の配向性や凹凸等のモフォロジーを原子層レベルまで高めることを可能にした酸化物薄膜を提供する。【構成】 組成式: (RE1-x AEx )CuO3-d (RE:Y,La,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb、AE:Ca,Sr,Ba、REとAEとは混晶系をなす。 0≦ x≦ 1、 0≦ d≦ 1)で実質的に表される組成を有し、かつ立方晶または正方晶のペロブスカイト型または酸素欠損ペロブスカイト型の結晶構造、あるいは超電導特性を示すREAE2 Cu3 O y の結晶構造に比べてRE元素とAE元素との固溶により c軸方向の 3倍周期構造が弱く、立方晶または正方晶のペロブスカイト型に近い対称性を持つ結晶構造を有する酸化物薄膜である。この酸化物薄膜は、酸化物超電導体層のバッファ層、あるいは 2つの酸化物超電導体層間のバリア層として用いられる。

請求項（抜粋）：

組成式: (RE1-x AEx )CuO3-d(式中、REは Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、TmおよびYbから選ばれる少なくとも 1種の元素を、AEはCa、SrおよびBaから選ばれる少なくとも 1種の元素を示し、かつREとAEとは混晶系をなすものであり、 xは 0≦ x≦ 1を満足する数、 dは 0≦ d≦ 1を満足する数である)で実質的に表される組成を有し、かつ立方晶または正方晶のペロブスカイト型または酸素欠損ペロブスカイト型の結晶構造、あるいは超電導特性を示すREAE2Cu3 O y (yは 6.3≦ y≦ 7.0を満足する数である)の結晶構造に比べてRE元素とAE元素との固溶により c軸方向の 3倍周期構造が弱く、立方晶または正方晶のペロブスカイト型に近い対称性を持つ結晶構造を有する酸化物薄膜であって、酸化物超電導体層のバッファ層、あるいは 2つの酸化物超電導体層間のバリア層として用いられることを特徴とする酸化物薄膜。

IPC (7件)：

C30B 29/22 501 ,  C30B 29/22 ,  C30B 23/08 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/22 ZAA ,  H05K 1/09 ZAA