半導体光素子

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133180
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330671
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】ファイバと高い効率で結合できる半導体光導波素子の構造とこれを簡単に製作する方法を提供し、さらにレーザ、光増幅器、光スイッチ、光検出器、またはこれらの内二つ以上をモノリシックに集積した光導波素子にこの方法を適用する場合、これに適した素子構造とその製法を提供する。【構成】レーザ活性導波路の横幅を適当に変化させることにより、半導体レーザ等の光導波素子を高出力化し、また入/出射ビ-ム径を拡大して、ファイバとの結合効率を高くする。さらにリッジ導波路をこの構造にして活性層部1の出射端面における光強度を低減させる。【効果】半導体レーザ等の光導波素子の性能を低下させることなく、高出力化、横モードの安定化、ファイバへの高効率結合、高出力状態における高信頼性(長寿命)を容易に達成できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1のコア層とこれよりも広バンドギャップで低屈折率な材料からなるクラッド層を第1のコア層の両側に有する半導体光素子において、導波路の横幅が光軸方向でテ-パ状に滑らかに変調されており、光の入射端または出射端もしくはその両部で導波路の横幅が横モ-ドが単一となるカットオフ幅よりも狭く設定され、且つその他の導波路の領域では横幅が横モ-ドが単一となるカットオフ幅よりも広く設定されていることを特徴とする半導体光素子。

IPC (4件)：

H01S 3/18 , G02B 6/122 , G02B 6/42 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 , G02B 6/42 , H01L 33/00 B , G02B 6/12 A

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