特許
J-GLOBAL ID：200903049364444561
誘電体分離基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-209547
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047914
出願日： 1991年08月21日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 支持体5と単結晶島3との接合界面にボイドのない誘電体分離基板を提供すること。【構成】 単結晶分離島3の少なくとも底面に不純物高濃度層7を有し、支持体5が単結晶半導体でなる誘電体分離基板1において、接合面を前記高濃度層7の表面の一部を酸化した酸化層8表面と、前記支持体5の絶縁膜201を接合した。【効果】 従来の接合方式誘電体分離基板にみられた未接合領域(ボイド)の発生を低減することができ、集積回路素子の製造歩留まりを向上できる。
請求項（抜粋）：
底面に高濃度の不純物が拡散された低抵抗領域を有し上部に半導体素子が形成される能動層と、この能動層を電気的に絶縁した状態でその底面側を支持する支持体ウエハと、を備えた半導体集積回路用の誘電体分離基板において、前記能動層の高濃度不純物層の表面の一部を酸化して形成された酸化膜と前記支持体用ウエハとが直接接合されたことを特徴とする誘電体分離基板。
IPC (2件)：
引用特許：
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