特許
J-GLOBAL ID：200903049365284800
光センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-014746
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232440
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 静電気に対する耐圧の大きな光センサを提供することにある。【構成】 pin型の光電変換膜(3)を備えた光センサに、そのp型層(3p)とi型層(3i)の間に,膜厚が800Å以上の非晶質シリコンカーボン膜(3c)を介挿せしめる。
請求項（抜粋）：
基板の一主面上に、第1電極膜と、薄膜状半導体から成る光電変換膜と、第2電極膜とを順次被着形成されて成る光センサに於いて、上記光電変換膜はp型層とi型層とn型層との積層体から成るとともに、上記p型層とi型層との間に膜厚が800Å以上の非晶質シリコンカーボン膜を介挿せしめたことを特徴とする光センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 31/04 B
