特許

J-GLOBAL ID：200903049365564064

炭素クラスター電導体膜の製造方法

発明者： 上羽 良信 ,  奥田 伸之 ,  大倉 健吾 ,  久貝 裕一 ,  多田 紘二
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 亀井 弘勝 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-043287
公開番号（公開出願番号）：特開平5-238885
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月17日
要約：

【要約】【目的】 従来製造が不可能であった、種々の不純物がドープされた炭素クラスター電導体膜を製造する。【構成】 π電子共役系を有する炭素クラスターの結晶に対して格子定数の適合性のよい単結晶基板の表面に、気相成長法により、炭素クラスターの薄膜を形成する。つぎに、この薄膜に不純物をドープして、任意の電導性を付与する。

請求項（抜粋）：

π電子共役系を有する炭素クラスターの結晶に対して格子定数の適合性のよい単結晶基板の表面に、気相成長法により、当該炭素クラスターの薄膜を形成した後、この薄膜に不純物をドープすることを特徴とする炭素クラスター電導体膜の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/02 ,  C01B 31/00 ZAA ,  H01B 1/04 ,  H01B 13/00 565