特許
J-GLOBAL ID：200903049367248402
化合物半導体基板の前処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130896
公開番号（公開出願番号）：特開平8-325100
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月10日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体基板表面の不純物特に炭素の除去が可能でかつ、成長装置の改造の必要がない前処理方法を提供する。【構成】 III -V族化合物半導体基板に対し、第1工程で表面の炭素を含む自然酸化膜(1)をウエット処理(2)により除去し、第2工程で、活性化した酸素(3)をこの表面に照射し、炭素をガス化(4)して除去すると同時に炭素を含まない酸化膜(5)を形成する。この酸化膜は保護膜として機能し、第3工程の成長装置に入れるまでの大気露出で炭素が再付着するのを抑制する。第3工程で成長装置内(7)に導入し基板を昇温して酸化膜を除去する。
請求項（抜粋）：
III -V族化合物半導体の基板を、第1工程で水溶液により酸化膜を除去した後、引き続き第2工程で活性化させた酸素により酸化を行い、表面に酸化膜を形成した後、薄膜成長装置内において、第3工程で前記酸化膜を昇温により除去することを特徴とする化合物半導体基板の前処理方法。
IPC (4件)：
C30B 29/40 502
, C30B 23/08
, H01L 21/02
, H01L 21/203
C30B 29/40 502 G
, C30B 23/08 M
, H01L 21/02 B
, H01L 21/203 M
