特許

J-GLOBAL ID：200903049370028405

有機層の粘着性を改良するための非晶質炭素層を含むデバイス及びその製造方法

発明者： マンシーニ、デビッド ポール ,  キンテロ、ジェイム エー. ,  レズニック、ダグラス ジェフリー ,  スミス、スティーブン エム.
出願人/特許権者： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-534133
公開番号（公開出願番号）：特表2007-508693
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

フォトレジスト層の粘着性を改良する非晶質炭素層(16)を含む半導体デバイス(10)、及びその半導体デバイスを製造する方法。デバイス(10)は、表面(15)を有する基板(12)と、該基板の表面(15)に設けられた非晶質炭素層(16)と、該基板の表面に設けられた低表面エネルギー材料(14)層とを含む。デバイス(10)は、表面(15)を有する基板(12)を提供するステップと、低表面エネルギー材料層(14)を析出させるステップと、プラズマ化学気相成長(PECVD)やスパッタリングを用いて、基板(12)の表面に低表面エネルギー材料層(14)に接する非晶質炭素層(16)を析出させるステップとから形成される。

請求項（抜粋）：

表面を有する基板と、 前記基板の表面に形成された低表面エネルギー材料層と、 前記基板の表面を覆うように設けられ、かつ前記低表面エネルギー材料層に接する非晶質炭素層と を備えるデバイス。

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (3件)：

H01L21/312 A ,  H01L21/30 573 ,  H01L21/90 K

Fターム (12件)：

5F033RR01 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033XX00 ,  5F033XX12 ,  5F046NA01 ,  5F046NA13 ,  5F046PA19 ,  5F058AA08 ,  5F058AC05 ,  5F058AG03 ,  5F058AH02