特許
J-GLOBAL ID:200903049373849710

スナバ回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 則近 憲佑
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-013336
公開番号(公開出願番号):特開平8-205518
出願日: 1995年01月31日
公開日(公表日): 1996年08月09日
要約:
【要約】【目的】有効インダクタンスを低減するスナバ回路の構造を実現する。【構成】スイッチング素子に付加され、スイッチング素子に印加されるサージ電圧の吸収及びオフ電圧上昇率を抑制するスナバダイオードとスナバコンデンサからなるスナバ回路において、スイッチング素子とスナバダイオードとが取り付けられ、スイッチング素子とスナバダイオードとを冷却し、スイッチング素子とスナバダイオードとの導体を兼ねるヒートシンクと、スナバダイオ-ドのヒ-トシンクが取り付けられた面とは反対側の面とスナバコンデンサとを接続をするように取り付けられた第1の導体と、スナバコンデンサとスイッチング素子のヒ-トシンクが取り付けられた面とは反対側の面とを接続し第1の導体と平行となるように取り付けられた第2の導体と、第1の導体と第2の導体の間に絶縁スペーサとを設ける。
請求項(抜粋):
スイッチング素子に付加され、このスイッチング素子に印加されるサージ電圧の吸収及びオフ電圧上昇率を抑制するスナバダイオードとスナバコンデンサからなるスナバ回路において、前記スイッチング素子と前記スナバダイオードとが取り付けられ、前記スイッチング素子と前記スナバダイオードとを冷却し、前記スイッチング素子と前記スナバダイオードとの導体を兼ねるヒートシンクと、前記スナバダイオ-ドの前記ヒ-トシンクが取り付けられた面とは反対側の面と前記スナバコンデンサとを接続をするように取り付けられた第1の導体と、前記スナバコンデンサと前記スイッチング素子の前記ヒ-トシンクが取り付けられた面とは反対側の面とを接続し前記第1の導体と平行となるように取り付けられた第2の導体と、前記第1の導体と前記第2の導体の間に絶縁スペーサとが設けられたことを特徴とするスナバ回路。
IPC (2件):
H02M 1/00 ,  H02M 1/06

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