ニオブ酸カリウム単結晶の単分域化処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-030861
公開番号（公開出願番号）：特開2002-348195
出願日： 2002年02月07日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ニオブ酸カリウムKNbO3 単結晶の製造において、結晶内の強誘電体自発分極方向が揃った高品質の単分域化結晶を製造する単分域化処理方法を提供する。【解決手段】多分域構造を有するニオブ酸カリウム単結晶15の対向面にそれぞれ正負の電極16,17を形成し、これらの電極間に電界を印加してニオブ酸カリウム単結晶を単分域化する方法において、単分域化処理を、正方晶系から斜方晶系に構造相転移する温度より低く170°Cより高い温度で電極間に電界を印加して行う第1段の単分域化処理と、170°C以下の温度で前記電極間に第1の単分域化処理における印加電界よりも高い電界を印加して行う第2段の単分域化処理の2段階で行う。これにより、結晶全体の自発分域方向が揃った透明単結晶を得る。

請求項（抜粋）：

多分域構造を有するニオブ酸カリウム単結晶の対向面にそれぞれ正負の電極を形成し、これらの電極間に電界を印加して前記ニオブ酸カリウム単結晶を単分域化する方法において、前記単分域化処理が、正方晶系から斜方晶系に構造相転移する温度より低く170°Cより高い温度で前記電極間に電界を印加して行う第1段の単分域化処理と、170°C以下の温度で前記電極間に前記第1の単分域化処理における印加電界よりも高い電界を印加して行う第2段の単分域化処理の2段階から成ることを特徴とするニオブ酸カリウム単結晶の単分域化処理方法。

IPC (4件)：

C30B 29/30 , C30B 33/04 , G02F 1/03 501 , G02F 1/37

FI (4件)：

C30B 29/30 A , C30B 33/04 , G02F 1/03 501 , G02F 1/37

Fターム (19件)：

2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079BA03 , 2H079CA05 , 2H079DA03 , 2H079JA05 , 2K002AB12 , 2K002CA02 , 2K002CA30 , 2K002FA27 , 2K002HA19 , 2K002HA20 , 4G077AA02 , 4G077BC31 , 4G077CF02 , 4G077CF10 , 4G077EB01 , 4G077FH02 , 4G077HA11

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