SOI構造を有する半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-158536
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094754
出願日： 1994年07月11日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】トランジスタのチャネル領域に蓄積した余剰キャリアを効率よく取出すことによって寄生バイポーラ動作を抑制可能なSOI構造を有する半導体装置を提供する。【構成】シリコン基板1の主表面上には埋込酸化膜4が形成される。埋込酸化膜4上にはSOI層5が形成される。SOI層5の素子分離領域にはnMOS2あるいはpMOS3のチャネル領域と接続されるチャネルストップ領域22a,22bが形成される。SOI層の素子形成領域にはnMOS2,pMOS3が形成される。チャネルストップ領域22a,22bに含まれるp型あるいはn型の不純物濃度は、nMOS2あるいはpMOS3のチャネル領域に含まれるp型あるいはn型の不純物濃度よりも高い。チャネルストップ領域22a,22b上には、FSゲート酸化膜15を介在してFSゲート16が形成される。

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、素子形成領域と素子分離領域とを有する半導体層と、前記半導体層の前記素子形成領域に形成され、第1の濃度の第1導電型の不純物を含むチャネル領域と、前記素子形成領域において、前記チャネル領域を挟むように形成された第2導電型の1対の不純物拡散領域と、前記チャネル領域上に絶縁層を介在して形成されたゲート電極と、所定位置で前記チャネル領域と接続されるように前記半導体層の前記素子分離領域に形成され、前記第1の濃度より高い第2の濃度の第1導電型の不純物を含むチャネルストップ領域と、前記チャネルストップ領域上に絶縁層を介在して形成されたフィールドシールドゲートと、を備えた、SOI構造を有する半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/76 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 27/08

FI (5件)：

H01L 29/78 311 R , H01L 21/76 S , H01L 27/08 321 B , H01L 27/08 321 C , H01L 29/78 311 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-142775
特開平1-181459
特開平3-203322

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