特許
J-GLOBAL ID：200903049379392100
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-259133
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102423
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、メモリセルとしてキャパシタを有する半導体装置におけるそのキャパシタ部の形成方法にかんするもので、キャパシタ絶縁膜の上部酸化膜形成を何の問題も生じず従来以上に極めて薄く形成する方法を提供するものである。【構成】 本発明は前記目的のために、キャパシタ絶縁膜3形成後、その膜をN2 Oガス雰囲気中で、急速アニール法により該絶縁膜上部の酸化4を行なうようにしたものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、導電層を形成し、その上に絶縁膜となるシリコン窒化膜を形成し、その表面をN2 Oガス雰囲気中で急速熱処理法(RTA法)にて酸化する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 27/10 325 J
, H01L 21/94 Z
, H01L 27/10 325 C
